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本发明是一种电极膜的电阻较低的半导体存储装置。半导体存储装置具备：第一电极膜，沿第一方向延伸；第二电极膜，设置于第一电极膜的第二方向上，沿第一方向延伸；第三电极膜，设置于第一电极膜的第二方向上，沿第一方向延伸；绝缘部件，设置于第二电极膜与第...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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