温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种ＣＶＤ装置的净化方法，其中，向设置基片的反应室（１１２）内供给半导体材料气体，在所述基片上形成半导体膜，其特征在于，作为加热流通净化处理时使用的净化气体，使用把氢、氦等热传导系数高的气体与惰性气体进行混合的气体。...该专利属于三菱住友硅晶株式会社、日本酸素株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱住友硅晶株式会社、日本酸素株式会社授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种ＣＶＤ装置的净化方法，其中，向设置基片的反应室（１１２）内供给半导体材料气体，在所述基片上形成半导体膜，其特征在于，作为加热流通净化处理时使用的净化气体，使用把氢、氦等热传导系数高的气体与惰性气体进行混合的气体。...