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一种ＡｌＮ一维纳米结构及其阵列的制备方法，其特征是以气化的ＡｌＣｌ↓［３］为Ａｌ源，以ＮＨ↓［３］／Ｎ↓［２］混和气为Ｎ源，在中温条件下，利用气－固相反应在负载有催化剂的基片上沉积得到ＡｌＮ一维纳米结构阵列，包括ＡｌＮ的纳米锥、纳米柱（或棒...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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