温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
低压反应离子镀方法制备碳锗合金（Ｇｅ↓［ｘ］Ｃ↓［１－ｘ］）膜，将工件置真空室上方，蒸发方式为电子束蒸发，其特征在于： ａ、选择双面抛光的锗片作为基底； ｂ、将氩气作为工作气体引入离子源，气体在离子源内电离形成等离子体； ...该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
低压反应离子镀方法制备碳锗合金（Ｇｅ↓［ｘ］Ｃ↓［１－ｘ］）膜，将工件置真空室上方，蒸发方式为电子束蒸发，其特征在于： ａ、选择双面抛光的锗片作为基底； ｂ、将氩气作为工作气体引入离子源，气体在离子源内电离形成等离子体； ...