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（问题）提供使用ＣＶＤ技术生产氮化硅和氧氮化硅膜的方法，其中所述方法甚至在低温下也能提供可接受的膜形成速度并且不会伴随着大量氯化铵的形成。（解决方案）使用式（Ｒ↑［０］）↓［３］－Ｓｉ－Ｓｉ－（Ｒ↑［０］）↓［３］的烃基氨基乙硅烷化合物（Ⅰ...该专利属于乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司授权不得商用。
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