用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法技术

（问题）提供使用ＣＶＤ技术生产氮化硅和氧氮化硅膜的方法，其中所述方法甚至在低温下也能提供可接受的膜形成速度并且不会伴随着大量氯化铵的形成。（解决方案）使用式（Ｒ↑［０］）↓［３］－Ｓｉ－Ｓｉ－（Ｒ↑［０］）↓［３］的烃基氨基乙硅烷化合物（Ⅰ）｛每个Ｒ↑［０］独立地选自氢原子、氯原子和－ＮＲ↑［１］（Ｒ↑［２］）基团（其中Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］分别独立地选自氢原子和Ｃ↓［１］到Ｃ↓［４］烃基，前提是Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］不都是氢原子）并且至少一个Ｒ↑［０］是－ＮＲ↑［１］（Ｒ↑［２］）基团｝作为氮化硅和氧氮化硅的前体。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过化学蒸气沉积(CVD)生产氮化硅膜及氧氮化硅膜的方法。现有技术的描述氮化硅膜展示出优异的阻挡层性质和优异的抗氧化性能并因此而例如在如微电子器件的制造中被用于制造蚀刻停止层、阻挡层、栅极绝缘层和ONO多层膜。现在使用的生成氮化硅膜的主要技术是等离子体增强CVD(PECVD)和低压CVD(LPCVD)。在PECVD中，将硅源物质(典型的是硅烷)和氮源物质(典型的是氨，但近来是氮)引入一对平行板电极之间并在低温(约300℃)和中等压力(0.1到5托)下将高频能量施加在两个电极之间以从硅源物质和氮源物质产生等离子体。在产生的等离子体中的活性硅物质和活性氮物质互相反应而产生氮化硅膜。PECVD生产的氮化硅膜一般不具有化学计量组成并且也富含氢。其结果是这些氮化硅膜的膜密度低、蚀刻速度高并且质量低劣。不使用等离子体的LPCVD被用来沉积高质量氮化硅膜。LPCVD，如其近期使用的那样，使用低压(0.1到2托)和高温(750-900℃)并且生产出的氮化硅膜的质量优于PECVD生产的氮化硅膜。一般使用该LPCVD技术的氮化硅膜是通过将二氯硅烷(DCS)和氨反应制得的。但是，现有的本文档来自技高网...

【技术保护点】
通过化学蒸气沉积生产氮化硅膜的方法，其特征是将以下通式的烃基氨基乙硅烷化合物（Ｒ↑［０］）↓［３］－Ｓｉ－Ｓｉ－（Ｒ↑［０］）↓［３］（Ⅰ）其中每个Ｒ↑［０］独立地选自氢原子、氯原子和－ＮＲ↑［１］（Ｒ↑［２］） 基团，其中Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］分别独立地选自氢原子和Ｃ↓［１］到Ｃ↓［４］烃基，前提是Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］不同时是氢原子，并且至少一个Ｒ↑［０］是－ＮＲ↑［１］（Ｒ↑［２］）基团，和选自氨、肼、烷基肼化合物和叠氮化氢的含氮气体引 入装有至少１片基片的反应室中并且在反应温度下通过将烃基氨基乙硅烷化合物与含氮气体反应...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：C迪萨拉，JM吉拉尔，
申请(专利权)人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]