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一种ＰＥＣＶＤ沉积低应力ＳｉＮ薄膜工艺，是一种产品致密性好、生长厚度较厚、绝缘性好的ＰＥＣＶＤ沉积低应力ＳｉＮ薄膜工艺。本发明经过清洗并烘干基片、在ＰＥＣＶＤ真空室内升温至１５０～３００℃并保持稳定时，给真空室充入Ｎ↓［２］稀释的８～１２％...
该专利属于福州大学所有，仅供学习研究参考，未经过福州大学授权不得商用。

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