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单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）外延系统属于集成电路半导体薄膜外延生长技术和超晶格薄膜材料生长技术领域。其特征在于：在外延生长室的石英反应腔内有一个衬片旋转机构，该机构水平放置在上述反应腔内。该机构含有：提供旋转动力...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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