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本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述高温缓冲层包括依次层叠的(2*n+1)个子层，n为正...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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