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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:18052411
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这里可提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置可包括:第一源种子层;第二源种子层,其被设置在第一源种子层上方与第一源种子层间隔开的位置处,并且源区域插置在第一源种子层与第二源种子层之间;单元插塞,其被配置为穿透第二源种子层并延伸到源区域...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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