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一种生长立方织构二氧化铈膜层的方法，包括：（１）、将具有立方织构的金属衬底，或带有立方织构氧化物隔离层的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；（２）、清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或...
该专利属于北京有色金属研究总院所有，仅供学习研究参考，未经过北京有色金属研究总院授权不得商用。

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