【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种获得立方织构二氧化铈的制备方法。技术背景陶瓷氧化物二氧化铈(Ce02),通过磁控溅射的方法制备成膜应用于诸多领域，特别是 在超导材料研究中，常以Ce02薄膜作为隔离层。常规情况下，在用磁控溅射方法镀膜来 生长Ce02薄膜时，以陶瓷氧化物Ce02做为靶材。陶瓷氧化物靶材的溅射产额较相应的 金属靶材的溅射产额低，因而成膜生长速率慢，且必须使用射频的溅射电源。而金属材料 溅射产额高，生长速率快，可用直流溅射电源，成本低。以金属材料为溅射靶材，需进行 反应溅射形成相应氧化物。本专利技术使用Ce金属靶，采取反应溅射方式生长双轴取向的 二氧化铈。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种生长双轴取向二氧化铈薄膜的方法。采用磁控溅射镀膜方 法，以金属Ce为靶材，以水气代替氧气作为反应气体，在具有立方织构的金属衬底，或 带有立方织构氧化物隔离层的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底上制备 二氧化铈膜。所制得的二氧化铈隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔 离层并生长YBCO涂层或直接生长YBCO涂层的需要。 为了实现上述专利技术目的，本...
【技术保护点】
一种生长立方织构二氧化铈膜层的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：（１）、将具有立方织构的金属衬底，或带有立方织构氧化物隔离层的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；（２）、清洗后的上述衬底置于磁控溅 射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于５×１０↑［－４］Ｐａ；将衬底加热至６００－７５０℃，再充氩气至腔体气压１×１０↑［－１］Ｐａ－８×１０↑［－１］Ｐａ；以金属Ｃｅ为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；（３） 、预溅射２０分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在１×１０↑［－３］－...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨坚，刘慧舟，屈飞，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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