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本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上同时形成像素区和逻辑区的各MOS晶体管的栅介质层和多晶硅栅；步骤二、依次形成第一氧化层和第二氮化层；步骤三、以第一氧化层为刻蚀终点对第二氮化层进行全面刻蚀在逻辑区...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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