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本发明提供面积小的ESD保护电路。具备：一端与输入端子（11）连接的、N型阱内的P型扩散电阻（12）；在与电源端子连接的N型阱与扩散电阻（12）之间的二极管（14）；栅极及源极与接地端子连接、漏极与扩散电阻（12）的另一端连接的NMOS晶体...
该专利属于艾普凌科有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾普凌科有限公司授权不得商用。

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