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本发明公开了一种2μm窄线宽锑化物半导体激光器及这种激光器的制备方法。该方法公开一种2μm锑化物半导体激光器结构，这种激光器结构制备在GaSb衬底上，由衬底往上依次为N型GaSb缓冲层、N型Al0.8Ga0.2As0.08Sb0.92下限制...
该专利属于长春理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过长春理工大学授权不得商用。

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