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本发明提供一种半导体功率器件的终端结构、半导体功率器件及其制作方法。所述半导体功率器件包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的第一层N型外延、形成于所述第一层N型外延层表面第一P型注入区、形成于所述第一层N型外延上的第二层N型外延、贯穿所述第二...
该专利属于深圳市晶特智造科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市晶特智造科技有限公司授权不得商用。

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