温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及包括沟槽的半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括在第一沟槽中包括第一栅电极的第一晶体管单元。所述半导体器件进一步包括在第二沟槽中包括第二栅电极的第二晶体管单元，其中第一和第二栅电极被电连接。所述半导体器件进一步包括第...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。