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本发明涉及一种TSV转接板及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底内制备至少两个隔离区；在所述隔离区上制备静电保护器件；刻蚀所述Si衬底在所述静电保护器件两侧形成TSV，填充后形成TSV区；在所述TSV区的第一端面与所述静电保...
该专利属于西安科锐盛创新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安科锐盛创新科技有限公司授权不得商用。

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