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本发明公开了一种铜互连工艺方法，包括如下步骤：步骤一、采用大马士革工艺在半导体衬底上形成铜互连线；步骤二、对铜互连线的表面进行预处理将铜互连线表面的氧化铜还原为铜；步骤三、形成覆盖层，通过步骤二中将所述铜互连线表面的氧化铜转换为铜降低所述铜...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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