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本发明公开了一种耗尽型VDMOS的制造方法，其特征在于：通过采用版图和流程设计，利用局部厚氧屏蔽注入技术和孔区硅衬底过刻技术，能在不增加单独的光刻层或其他复杂工艺的前提下，实现耗尽型VDMOS的制备。本发明能较好的兼容常规增强型VDMOS制...
该专利属于重庆中科渝芯电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆中科渝芯电子有限公司授权不得商用。

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