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MTJ材料堆叠体，采用这种堆叠体的pSTTM器件，以及采用这种pSTTM器件的计算平台。在一些实施例中，垂直MTJ材料堆叠体包括设置在固定磁层与反铁磁层或合成反铁磁(SAF)堆叠体之间的多层过滤器堆叠体。在一些实施例中，过滤器堆叠体的非磁性...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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