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在碳化硅半导体基体的第一主面侧形成沟槽(16)，在碳化硅半导体基体的第一主面侧堆积n型碳化硅外延生长层(2)，在n型碳化硅外延生长层的表面设有n型高浓度区域(5)。另外，在n型碳化硅外延生长层(2)的表面选择性地设置第一p型基区(3)和第二...
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