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本发明公开了一种存储装置及其制作方法及一种数据读写方法，该存储装置中的隧穿场效应晶体管包括：半导体衬底，位于半导体衬底表面的沟道、源区和漏区、势阱层、第一栅区和第二栅区，沟道具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面，在第二方向上彼此相对...
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