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本发明提供了集成电路晶粒构件与其他导电区域的电容性耦合。待耦合的每一个构件具有一表面，其包括至少一个导电区域，例如一金属衬垫或金属平板。一超薄介电质层形成于待耦合的至少一个表面上。当两个构件(例如，来自每一个晶粒的一个构件)被永久地接触在一...
该专利属于英帆萨斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过英帆萨斯公司授权不得商用。

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