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本发明提供SiC复合基板，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10，上述多晶SiC基板11与单晶SiC层12邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面I12/11，上述单晶SiC层12具有平滑的表面，同时在与...该专利属于信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司授权不得商用。