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本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法，首先提供一基底，然后形成一栅极结构于该基底上，形成一硬掩模于基底及栅极结构上，图案化硬掩模以形成多个沟槽暴露出部分基底表面，之后再形成垫高外延层于该多个沟槽内。...
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