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一种紫外LED芯片制作方法，包括：依次外延生长u‑GaN层、n‑AlGaN层、多量子阱层以及p‑GaN层或p‑AlGaN层；去除部分区域的p‑GaN层或p‑AlGaN层以及多量子阱层和部分n‑AlGaN层；在n‑AlGaN层上制作n型欧姆接...
该专利属于广东省半导体产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省半导体产业技术研究院授权不得商用。

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