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本发明涉及一种NAND flash后端工艺中空气间隙的制造方法，包括以下步骤：提供一具有金属互连结构的半导体衬底；形成第一介质层，第一介质层覆盖半导体衬底；形成第一掩膜层，第一掩膜层覆盖第一介质层；刻蚀第一介质层，在第一介质层中形成第一通孔...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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