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本公开提供了一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，包括：对氧化镓半导体进行等离子体刻蚀表面处理，通过控制刻蚀工艺来调控氧化镓半导体表面的粗糙度、氧空位，使得表面粗糙度在1μm之内、氧空位增加；以及在经过等离子体刻蚀表面处理后的氧化镓半导体...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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