温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

高纯砷的生产方法。涉及一种半导体基础材料超高纯α型砷的生产方法。本发明采用了以下几个步骤：首先是将砷和铅按１∶１．５～４的比例形成铅砷合金；然后，通过将铅砷合金在真空环境中通过加热进行分离，制得纯度为９９．９９９％砷和铅砷合金；再将上述砷在...
该专利属于扬州高能新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州高能新材料有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。