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本实用新型公开了肖特基器件。一种肖特基器件包括第一导电类型的碳化硅(SiC)基底、漂移层、槽、第二导电类型的势垒层、导电材料、第一电极、和第二电极。漂移层由SiC形成且位于SiC基底上。漂移层具有第一导电类型且杂质浓度低于SiC基底的杂质浓...
该专利属于华智科技（国际）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华智科技（国际）有限公司授权不得商用。

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