下载场效晶体管的技术资料

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场效晶体管(field effect transistor,FET)包含栅极介电层、形成于栅极介电层上的二维通道层以及栅极电极。二维通道层包含主体区(body region),其具有第一侧边与相对于第一侧边的第二侧边,主体区为场效晶体管的通...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司;吴育任所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司;吴育任授权不得商用。

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