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本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种用于晶圆刻蚀的反应槽。本发明所述的用于晶圆刻蚀的反应槽，其中包括槽体，所述槽体内设有升降臂、传动单元和导向单元，所述升降臂的内部为中空结构，所述传动单元设于所述升降臂的内部，所述传动单元的输入端与动力源...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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