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本发明公开了一种在后栅工艺中，优化金属栅极填充的方法。先形成一伪栅层，再形成伪栅层侧墙；再沉积双层接触刻蚀停止层。沉积层间介质层氧化层后进行化学机械研磨露出伪栅极，然后对SiN部分进行回刻，形成台阶结构。去掉伪栅极得到凹槽，在凹槽内一次填充...
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