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本发明公开了一种具有U型沟槽的半浮栅存储器件及其制造方法，通过在完成对U型沟槽阈值电压Vt注入后，增加一步大角度注入步骤，以在漏区一侧的U型沟槽侧壁形成重掺杂区域，从而实现既能加大U型沟槽侧壁寄生MOSFET阈值电压、减少半浮栅漏电和电位波...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司授权不得商用。