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本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，包括：衬底；位于衬底上沿着第一方向延伸的一个或多个鳍片；和位于鳍片周围的隔离区；隔离区包括位于鳍片在第一方向上的侧面的第一隔离区和位于鳍片在第二方向上的侧...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司;比利时微电子研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司;比利时微电子研究中心授权不得商用。