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本发明涉及一种浮区法生长掺杂不同浓度Ta的La2Ti2O7单晶的方法，所述掺Ta的La2Ti2O7单晶的化学组成为La2Ti2‑xTaxO7，其中0.01≤x≤0.1，优选0.02≤x≤0.08，晶格常数分别为a=7.8109‑7.8220...该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种浮区法生长掺杂不同浓度Ta的La2Ti2O7单晶的方法，所述掺Ta的La2Ti2O7单晶的化学组成为La2Ti2‑xTaxO7，其中0.01≤x≤0.1，优选0.02≤x≤0.08，晶格常数分别为a=7.8109‑7.8220...