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本发明公开了一种带载流子寿命调节区的功率MOSFET器件及其制造方法，其技术特征在于：包括漏极金属层、重掺杂第一导电类型衬底材料、轻掺杂第一导电类型第一外延层、重掺杂第一导电类型载流子寿命调节区、轻掺杂第一导电类型第二外延层、第二导电类型阱...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十四研究所授权不得商用。

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