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本发明提供了一种3D NAND闪存结构的沟道刻蚀过程中控制3D NAND闪存结构的沟道关键尺寸的方法，通过在沟道刻蚀工艺前增加湿法清洗的工艺步骤，能够有效清除衬底背面形成的有害的氧化物绝缘材料；由于衬底背面形成的有害的绝缘材料被去除，从而有...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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