温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种采用气隙作为介电层的3D NAND闪存制备方法及闪存，所述包括：在衬底表面形成有多层交错堆叠的牺牲介质层及控制栅极层，所述控制栅极层形成于相邻的层间介质层之间；所述层间介质层为氮化硅，所述控制栅极层为多晶硅层；刻蚀所述衬底堆...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。