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本发明提供了一种存储器件中形成控制栅的工艺流程方法，应用于半导体的刻蚀工艺中，通过在存储区域形成控制栅极和在逻辑区域刻蚀多晶硅的工艺流程顺序设置，借用已有的工艺条件，进行各项优化并结合后续的制程条件，消除由于无定型碳膜APF的填充不良带来的...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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