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一种半导体器件包括：衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括彼此交替地堆叠的层间绝缘层和第一栅电极；穿透所述堆叠结构的开口中的半导体层；所述半导体层和所述堆叠结构之间的第一电介质层；以及所述堆叠结构中更靠近所述衬底而不是所述第一栅电极的下部图案，...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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