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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种连接孔结构的制备方法，其中，包括：步骤S1，提供上表面制备有一钨金属层的晶圆；步骤S2，于钨金属层的上表面依次制备一氧化层和一非定型碳薄膜层；步骤S3，采用一光刻工艺于非定型碳薄膜层和钨金属层内形成通孔...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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