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存储器及半导体器件制造技术
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文档序号:17773598
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本实用新型提供了一种存储器及半导体器件。通过增厚层以增加第二隔离屏障的形成基底的厚度,以使形成在形成基底中的第二隔离屏障的顶表面高于第一隔离屏障的顶表面。如此,不仅可利用相交的第一隔离屏障和第二隔离屏障界定出节点接触窗,从而摒除了光刻工艺所...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。
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