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公开了为集成电路的存储器单元提供电容的技术和机制。在实施例中，存储器单元的晶体管包括以各种方式形成在半导体衬底的第一侧中或上的结构。在处理以形成晶体管结构之后，执行减薄以暴露半导体衬底的第二侧，第二侧与第一侧相对。随后执行半导体衬底的暴露第...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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