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在所描述的具有第一PMOS晶体管(205)和第二PMOS晶体管(215)的集成电路和方法的示例中，第一PMOS晶体管(205)具有延伸区(210)和袋区注入物(212)并且具有SiGe源极和漏极(230)，第二PMOS晶体管(215)不具有...
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