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用于减小静态随机存取存储器的预充电电压的设计结构制造技术
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文档序号:17746449
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可以提供SRAM单元组的存储单元布置,其中在每个组中,多个SRAM单元通过至少一个公共局部位线连接到局部读放大器的输入。所述放大器的输出连接到共享全局位线。全局位线连接到预充电电路,并且所述预充电电路适于在读取数据之前用可编程预充电电压对所...
该专利属于国际商业机器公司所有,仅供学习研究参考,未经过国际商业机器公司授权不得商用。
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