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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底和鳍部，衬底包括相邻NMOS区和PMOS区；在PMOS区衬底内形成N阱，在NMOS区衬底内形成P阱；形成覆盖鳍部部分侧壁的保护侧壁，露出于保护侧壁的鳍部为鳍部第一区域，未露出的为鳍部第二区域；沿...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。