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本发明涉及一种低能量背散射电子探测器，该探测器包括半导体探测基底和设置在所述基底表面的覆膜，所述覆膜的材料为：铍、碳或石墨烯，或者这三种材料的任意组合。所述覆膜的厚度≤10nm。所述低能量背散射电子探测器包括第一内圈部分和第二外圈部分，所述...
该专利属于中国科学院自动化研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院自动化研究所授权不得商用。

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