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本发明公开了一种硅衬底的GaN基LED芯片制作方法，包括：提供外延结构、硅结构和弯曲调整结构，其中，所述外延结构包括蓝宝石衬底和依次设于所述蓝宝石衬底上的N型GaN层、有源层、P型GaN层和第一键合层，所述硅结构包括硅衬底、设于所述硅衬底表...
该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。

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